Китайский стартап Prinano заявил о важном достижении в производстве фотонных микросхем. Компания сообщила, что смогла отработать выпуск оптических чипов на 8-дюймовых кремниевых пластинах без использования традиционной DUV-литографии.

Обычно производство микросхем связано с дорогим литографическим оборудованием, где ключевую роль играют системы ASML. Но из-за экспортных ограничений доступ Китая к таким технологиям серьёзно ограничен. Поэтому Prinano вместе с Shenzhen Litra Technology пошла другим путём — использовала технологию вакуумного наноимпринтинга.

Если классическая литография проецирует рисунок схемы на кремниевую пластину с помощью сложной оптики и источников света, то наноимпринтинг работает почти как штамп. Наноразмерные структуры буквально отпечатываются на поверхности пластины специальным шаблоном. По утверждению компании, такой подход может снизить производственные затраты примерно в 10 раз по сравнению с традиционными DUV-процессами.

Но важно понимать: речь не идёт о производстве передовых процессоров для смартфонов, видеокарт или ИИ-ускорителей. Технология Prinano ориентирована на фотонные чипы — микросхемы, которые работают со светом, а не с электрическими сигналами. Такие решения нужны для оптоволоконной связи, дата-центров, лазерных сенсоров, лидаров и высокоскоростной передачи данных.

Фотонные схемы часто состоят из повторяющихся наноструктур, поэтому метод наноимпринтинга может быть особенно удобен именно для этого класса устройств. Использование 8-дюймовых пластин говорит о том, что проект выходит за рамки простой лабораторной демонстрации.

Однако пока остаются важные вопросы: Prinano не раскрыла объёмы выпуска, уровень брака, выход годных чипов и данные о первых заказчиках. Поэтому это не конец ASML, но потенциально важный шаг Китая в развитии альтернативных методов производства фотонных микросхем.

Intel официально начала работу над будущими сверхтонкими техпроцессами Intel 10A и 7A. Об этом сообщил генеральный директор компании Лип-Бу Тан. Эти технологии должны прийти на смену текущему Intel 18A и следующему поколению Intel 14A в течение следующего десятилетия.

Главная ставка Intel — долгосрочная дорожная карта. Компания хочет показать клиентам и партнёрам, что снова способна планировать развитие полупроводниковых технологий на годы вперёд. Для крупных заказчиков это критически важно: им нужны не только конкурентные чипы сегодня, но и уверенность в производственной базе будущего.

Intel 14A уже движется по плану. Версия 0.5 PDK доступна, а версия 0.9 PDK ожидается в октябре. Именно этот этап Лип-Бу Тан назвал «святым Граалем», потому что он важен для проектирования и подготовки будущих продуктов клиентов.

Производство по Intel 14A планируют запустить в 2028 году, а серийный выпуск чипов ожидается в 2029-м. Примерно в это же время TSMC должна начать массовое производство по своему техпроцессу A14. Однако Intel делает акцент на питании с обратной стороны кристалла и высокопроизводительных решениях для дата-центров.

Особую роль в этой гонке сыграют литографические системы ASML High-NA EUV. Эти инструменты должны использоваться в Intel 14A, а затем и в будущих 10A и 7A. Внедрение High-NA EUV будет сложной задачей, поэтому Intel активно работает с ASML и партнёрами, чтобы подготовить экосистему к массовому производству.

Если Intel удастся реализовать эту дорожную карту, компания может серьёзно усилить позиции в контрактном производстве чипов и снова стать одним из главных игроков в полупроводниковой гонке.

Норвежский стартап Lace Lithography привлёк $40 млн на разработку литографической системы нового типа, которая вместо фотонов использует пучок атомов гелия. Среди инвесторов и участников раунда упоминается M12, венчурный фонд Microsoft, а сама компания заявляет, что такая технология может печатать структуры до 10 раз меньше, чем современные решения. По данным Reuters, Lace нацелена на пилотную установку к 2029 году.

Главная идея Lace в том, что атомы гелия не упираются в тот же дифракционный предел, что и фотонная литография. Именно поэтому компания описывает свой подход как BEUV — Beyond-EUV, то есть «за пределами EUV». В публикациях о проекте фигурирует ширина пучка порядка 0,1 нм, тогда как современные EUV-системы работают с длиной волны 13,5 нм. Это и создаёт интригу вокруг потенциально почти атомного разрешения.

При этом речь пока идёт не о готовом промышленном продукте, а о технологии на ранней стадии. На конференции SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026 Lace показала первые результаты и представила подход на базе метастабильных атомов гелия, но отраслевые наблюдатели отдельно подчёркивают, что путь от лабораторного прототипа до массового производства в литографии обычно очень долгий и крайне дорогой.

ASML, мировой лидер в области EUV-литографии, готовится сделать ещё один стратегически важный шаг — расширить линейку продукции за счёт оборудования для сборки, упаковки и корпусирования микросхем. Это может стать одним из самых важных поворотов в индустрии полупроводников, особенно на фоне взрывного спроса на ИИ-чипы.

Сегодня передовая упаковка микросхем превращается из вспомогательного этапа в один из ключевых факторов производительности. Многослойная компоновка, склеивание кристаллов и более сложная архитектура позволяют создавать всё более мощные процессоры для искусственного интеллекта, памяти и высокопроизводительных вычислений. Именно поэтому ASML уже изучает новые направления и готовит инструменты, которые могут сыграть важную роль в следующем поколении чипов.

На фоне роста размеров ИИ-процессоров и повышения требований к точности производства этот шаг выглядит логичным: компания хочет участвовать не только в самой литографии, но и в следующих критически важных этапах создания передовых микросхем. Фактически ASML может усилить своё влияние на весь рынок полупроводников и занять ещё более сильные позиции в технологической цепочке будущего.

Исследователи Imec нашли неожиданный способ ускорить работу EUV-литографии без изменения самих сканеров. Во время стадии post-exposure bake они повысили концентрацию кислорода в атмосфере до 50% и получили рост фоточувствительности металл-оксидных фоторезистов примерно на 15–20%. Это позволяет добиваться нужного рисунка при меньшей дозе EUV-излучения, а значит — либо ускорять процесс, либо снижать энергозатраты.

Ключевое открытие связано с тем, что дополнительный кислород усиливает химические реакции в metal-oxide resists (MOR), которые считаются перспективными для передовых EUV-процессов, особенно high-NA EUV. Работа выполнялась на специальной исследовательской установке Beforce, где можно было изолировать пластину от обычной атмосферы чистой комнаты и точно контролировать газовую среду во время отжига.

Если технология дойдёт до фабрик, производители смогут увеличить производительность линий выпуска самых современных чипов без радикальной модернизации EUV-оборудования. Пока это исследовательский результат, но потенциально он может оказаться очень важным для будущих 2-нм и A16 техпроцессов.